### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的18N50G-TF1-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于各種領(lǐng)域和模塊的高性能應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明：

- **包裝**：TO220F
- **結(jié)構(gòu)**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用示例：

1. **電源逆變器**：由于其高耐壓特性，18N50G-TF1-T-VB適用于電力電子設(shè)備中的逆變器模塊，能夠提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換。

2. **充電樁**：在充電樁中，這款MOSFET可以用作開關(guān)管，實(shí)現(xiàn)電能的快速控制和轉(zhuǎn)換。

3. **太陽能逆變器**：在太陽能電池系統(tǒng)中，這款MOSFET能夠承受較高的工作電壓，適用于逆變器和電能調(diào)節(jié)模塊。

4. **電動(dòng)汽車充電器**：在電動(dòng)汽車充電器中，這款MOSFET可以用于高效率的電能轉(zhuǎn)換，提高充電速度。

5. **工業(yè)電源**：在工業(yè)電源設(shè)備中，這款MOSFET可以用于開關(guān)電源和UPS系統(tǒng)，提供穩(wěn)定可靠的電力輸出。

以上是18N50G-TF1-T-VB的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用示例。