### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi 18NM60N-VB TO263 MOSFET是一款單N溝道功率MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的最大門極-源極電壓（VGS）。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性，適用于高壓功率電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明：
- **封裝：** TO263
- **器件類型：** 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **最大門極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：**
 - VGS = 10V時：300mΩ
- **漏極電流（ID）：** 15A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：
1. **電源模塊：** 18NM60N-VB TO263適用于高壓開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，可用于工業(yè)和通信設(shè)備中的電源模塊。
2. **太陽能逆變器：** 在太陽能逆變器中，這款MOSFET可以用于直流-交流轉(zhuǎn)換器，提供高效率的能量轉(zhuǎn)換。
3. **電動汽車充電樁：** 由于其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻，18NM60N-VB TO263適用于電動汽車充電樁中的功率開關(guān)。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)：** 這款MOSFET可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高壓開關(guān)器件，提供可靠的電力控制。
5. **高壓直流輸電（HVDC）系統(tǒng)：** 在HVDC系統(tǒng)中，18NM60N-VB TO263可用于開關(guān)裝置，幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量傳輸。

這些示例說明了18NM60N-VB TO263 MOSFET在高壓功率應(yīng)用中的應(yīng)用，展示了其在各種領(lǐng)域和模塊中的高性能和可靠性。