--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi的18NM80-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),具有800V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的門(mén)極-源極電壓(VGS)。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為160mΩ(在VGS=10V時(shí)),最大漏極電流(ID)為20A。這使得18NM80-VB非常適合高壓應(yīng)用,如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **Package**:TO263
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:800V
- **VGS**:30V(±)
- **Vth**:3.5V
- **RDS(ON)**:160mΩ @ VGS=10V
- **ID**:20A
- **Technology**:SJ_Multi-EPI

### 適用領(lǐng)域和模塊示例
18NM80-VB適用于各種需要高壓、高性能MOSFET的應(yīng)用,包括但不限于:
1. **電源管理**:18NM80-VB的高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于開(kāi)關(guān)電源、電源逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等高壓電源管理系統(tǒng)中。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:18NM80-VB可用于電動(dòng)汽車、工業(yè)機(jī)械和家用電器等領(lǐng)域的高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,其能夠提供高效率和可靠性。
3. **工業(yè)控制**:在需要控制高電壓和電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中,18NM80-VB可以用作開(kāi)關(guān)器件,以實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
4. **電池管理**:由于其高壓特性,18NM80-VB也可以用于電池管理系統(tǒng)中,以實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓電池組的高效充放電控制。
5. **光伏逆變器**:在光伏逆變器中,18NM80-VB可用于實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電到交流電的轉(zhuǎn)換,具有高效率和穩(wěn)定性。
總之,18NM80-VB是一款功能強(qiáng)大、可靠性高的高壓MOSFET,適用于各種高壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。
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