**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi的18P10GJ-VB是一款TO251封裝的單P溝道MOSFET。它具有-100V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的門極-源極電壓（VGS）。采用了溝道技術(shù)，具有優(yōu)異的性能和可靠性，適用于負壓應(yīng)用場合。

**詳細參數(shù)：**
- 封裝：TO251
- 構(gòu)型：單P溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：-100V
- VGS（門極-源極電壓）：±20V
- Vth（閾值電壓）：-2V
- RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：120mΩ@VGS=4.5V；100mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：-16A
- 技術(shù)：溝道

**適用領(lǐng)域和模塊示例：**
- **電源逆變器**：18P10GJ-VB適用于負壓逆變器中的功率開關(guān)，提供可靠的功率轉(zhuǎn)換和管理。
- **汽車電子**：可用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊，提供高效的電源控制。
- **工業(yè)控制**：適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率開關(guān)模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。
- **LED照明**：18P10GJ-VB可以用于LED照明系統(tǒng)中的功率開關(guān)，實現(xiàn)高效的LED光源控制和調(diào)節(jié)。

以上是對18P10GJ-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的語段形式舉例說明。