### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi的190N12NS3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，具有高性能和可靠性。這款器件適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用場合，如電源管理和電機控制。
### 參數(shù)說明：
- **包裝**: DFN8(5x6)
- **VDS**: 100V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.8V
- **RDS(ON)**: 17mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 30A
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：
1. **電源管理**: 由于其高電流特性，190N12NS3-VB適用于開關(guān)電源和逆變器模塊，可實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
2. **電機控制**: 在工業(yè)和汽車應(yīng)用中，這種MOSFET可用于電機控制，實現(xiàn)高效的電動機驅(qū)動。
3. **充電器**: 190N12NS3-VB可用于高功率充電器中的功率開關(guān)，實現(xiàn)快速充電和高效能量轉(zhuǎn)換。
4. **電動車輛**: 在電動汽車和電動自行車等電動車輛中，這種MOSFET可用于電池管理和電動機控制，提供高效的能源利用率。
5. **工業(yè)控制**: 190N12NS3-VB可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)和電源管理模塊，提供可靠的性能和長期穩(wěn)定性。
