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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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19AM3808NE-T1-PF-VB一種N+N-Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): 19AM3808NE-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N+N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
VBsemi 19AM3808NE-T1-PF-VB是一款雙N溝道+N溝道功率MOSFET,封裝為SOT23-6。它具有20V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的最大門(mén)極-源極電壓(VGS)。采用槽道(Trench)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性,適用于低壓功率電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝:** SOT23-6
- **器件類(lèi)型:** 雙N溝道+N溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓(VDS):** 20V
- **最大門(mén)極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 0.5~1.5V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - VGS = 2.5V時(shí):28mΩ
 - VGS = 4.5V時(shí):24mΩ
- **漏極電流(ID):** 6A
- **技術(shù):** 槽道(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **移動(dòng)設(shè)備充電管理:** 19AM3808NE-T1-PF-VB可用于移動(dòng)設(shè)備中的電池充電管理模塊,幫助實(shí)現(xiàn)高效的充電和放電控制。
2. **電源管理模塊:** 在低壓電源管理模塊中,這款MOSFET可以用于開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
3. **LED照明控制:** 在LED照明系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于開(kāi)關(guān)控制器,實(shí)現(xiàn)高亮度和高效能量轉(zhuǎn)換。
4. **工業(yè)自動(dòng)化控制:** 19AM3808NE-T1-PF-VB適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的低壓開(kāi)關(guān)器件,提供可靠的電力控制。
5. **便攜式電子設(shè)備:** 在便攜式電子設(shè)備中,這款MOSFET可用于電源管理和電池管理模塊,幫助延長(zhǎng)電池壽命和提高能效。

這些示例說(shuō)明了19AM3808NE-T1-PF-VB MOSFET在低壓功率應(yīng)用中的應(yīng)用,展示了其在各種領(lǐng)域和模塊中的高性能和可靠性。

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