VBsemi 19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET產(chǎn)品簡介：

19N10G-T3P-T-VB是一款單N溝道場效應管，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS）（±V），1.8V的閾值電壓（Vth），35mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及85A的漏極電流（ID）。采用了溝道技術(shù)（Trench Technology）。

詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO247
- 類型：單N溝道（Single-N-Channel）
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 導通電阻（RDS(ON)）：35mΩ@VGS=10V
- 漏極電流（ID）：85A
- 技術(shù)：溝道技術(shù)（Trench）

適用領域和模塊示例：
1. 電源模塊：19N10G-T3P-T-VB TO247適用于高功率電源模塊，如電源逆變器和高功率開關電源設計。
2. 電動工具：可用于電動工具驅(qū)動器設計，如電動鉆機和電動割草機。
3. 汽車電子：適用于汽車電子模塊，如電動汽車控制器和車載電源管理器。
4. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動化和機器人領域，該器件可用于高功率開關電路和電機控制器設計。
5. 太陽能逆變器：用于太陽能逆變器模塊，實現(xiàn)太陽能電池板的能量轉(zhuǎn)換和管理。

這些是19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET在各個領域和模塊上的一些示例應用。