**產(chǎn)品簡介：**
19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款單N溝道功率MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和1.8V的閾值電壓（Vth）。該器件采用了Trench技術(shù)，具有良好的導(dǎo)通特性和低導(dǎo)通電阻，適用于中高壓應(yīng)用場合。
**詳細參數(shù)：**
- **VDS（漏極-源極電壓）:** 100V
- **VGS（柵極-源極電壓）:** 20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）:** 1.8V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）:**
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）:** 25A
- **封裝:** TO252
- **技術(shù):** Trench
**適用領(lǐng)域和模塊：**
19N10VL-TN3-R-VB適用于各種領(lǐng)域和模塊，包括但不限于：
1. **電源供應(yīng)模塊：** 用于開關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器等模塊中，以提供高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
2. **電機控制：** 用于電動汽車、工業(yè)機械和家用電器等領(lǐng)域中，以實現(xiàn)高效的電機控制和驅(qū)動。
3. **照明應(yīng)用：** 用于LED照明、室內(nèi)照明和汽車照明等場合中，以提供高效、可靠的照明解決方案。
4. **電池管理：** 用于鋰電池管理系統(tǒng)、充電器等模塊中，以實現(xiàn)高效的電池管理和充電控制。
總的來說，19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款性能優(yōu)良、適用廣泛的功率器件，適合各種中高壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。
