### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的19N10V-VB是一款單N溝道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用槽道技術(shù)，適用于各種領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明：

- **包裝**：TO252
- **結(jié)構(gòu)**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：100V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：57mΩ @ VGS=4.5V；55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：25A
- **技術(shù)**：槽道

### 應(yīng)用示例：

1. **電源模塊**：由于其高導(dǎo)通電阻和高漏極電流，19N10V-VB適用于高功率電源模塊，能夠提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。

2. **電動汽車控制器**：在電動汽車控制器中，這款MOSFET可以用于控制電機的功率輸出，提高電動汽車的性能。

3. **工業(yè)電源**：在工業(yè)電源設(shè)備中，這款MOSFET可以用于開關(guān)電源和UPS系統(tǒng)，提供穩(wěn)定可靠的電力輸出。

4. **電機驅(qū)動**：在需要大電流輸出的電機驅(qū)動模塊中，這款MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)控制和低損耗的功率轉(zhuǎn)換。

5. **LED照明**：在需要高亮度和高效率的LED照明應(yīng)用中，這款MOSFET可以用作驅(qū)動器，提供穩(wěn)定的電流輸出。

以上是19N10V-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明和應(yīng)用示例。