### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的1N60H-VB是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用Plannar技術(shù)制造，具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為3440mΩ（在VGS=4.5V時(shí)）和4300mΩ（在VGS=10V時(shí)），最大漏極電流（ID）為2A。這使得1N60H-VB適用于低功率、低頻率應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)、低功率逆變器等。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **Package**：TO252
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：650V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：3440mΩ @ VGS=4.5V；4300mΩ @ VGS=10V
- **ID**：2A

- **Technology**：Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1N60H-VB適用于低功率、低頻率應(yīng)用，包括但不限于：

1. **電源開(kāi)關(guān)**：由于其低漏極-源極導(dǎo)通電阻和低功率特性，1N60H-VB可用于低功率電源開(kāi)關(guān)，如電視機(jī)、音響設(shè)備等。

2. **低功率逆變器**：在需要低功率逆變器的應(yīng)用中，如家用電器、小型電動(dòng)車等，1N60H-VB可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單而有效的逆變控制。

3. **電動(dòng)工具**：在需要低功率、高效率的電動(dòng)工具中，1N60H-VB可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)器件，提供高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **LED照明**：由于其低功率特性，1N60H-VB適用于低功率LED照明驅(qū)動(dòng)器和其他低功率照明應(yīng)用。

總之，1N60H-VB是一款低功率、低頻率應(yīng)用的MOSFET，適用于各種低功率領(lǐng)域和模塊。