VBsemi 1N60L-TM3-T-VB TO251 MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

VBsemi的1N60L-TM3-T-VB TO251是一款TO251封裝的單通道N溝道MOSFET。該產(chǎn)品具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），4300mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及2A的漏極電流（ID）。采用Plannar技術(shù)。

1N60L-TM3-T-VB TO251詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：

- 封裝：TO251
- 類(lèi)型：?jiǎn)瓮ǖ繬溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：4300mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：2A
- 技術(shù)：Plannar

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：

1. 電源適配器：1N60L-TM3-T-VB TO251適用于電源適配器中的開(kāi)關(guān)電源電路，可以實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。

2. LED照明驅(qū)動(dòng)：由于1N60L-TM3-T-VB TO251具有較高的漏極-源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻，可用于LED照明驅(qū)動(dòng)電路，確保LED燈具的穩(wěn)定工作。

3. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁：在電動(dòng)汽車(chē)充電樁中，1N60L-TM3-T-VB TO251可以用于功率開(kāi)關(guān)電路，提高充電效率。

4. 工業(yè)控制系統(tǒng)：在需要高電壓和適中電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中，1N60L-TM3-T-VB TO251可以提供穩(wěn)定可靠的性能。

以上是關(guān)于VBsemi 1N60L-TM3-T-VB TO251 MOSFET的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明以及在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例。