### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
VBsemi 1N90L-TA3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，具有900V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的最大門極-源極電壓（VGS）。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于中高壓功率電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明：
- **封裝：** TO220
- **器件類型：** 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 900V
- **最大門極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：**
 - VGS = 10V時(shí)：1500mΩ
- **漏極電流（ID）：** 5A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：
1. **電源模塊：** 1N90L-TA3-T-VB適用于中高壓開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，在工業(yè)和通信設(shè)備中具有較高的電壓容忍度和可靠性。
2. **太陽(yáng)能逆變器：** 在太陽(yáng)能逆變器中，這款MOSFET可以用于直流-交流轉(zhuǎn)換器，提供高效率的能量轉(zhuǎn)換。
3. **高壓開關(guān)控制器：** 這款MOSFET可用于高壓開關(guān)控制器中，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高壓LED驅(qū)動(dòng)器等，提供可靠的電力控制。
4. **醫(yī)療設(shè)備：** 在醫(yī)療設(shè)備中，這款MOSFET可以用于X射線發(fā)生器和高壓電源模塊，提供穩(wěn)定的電力輸出。

以上示例說明了1N90L-TA3-T-VB MOSFET在中高壓功率應(yīng)用中的潛在應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其在各種場(chǎng)景中的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。