### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的200N03-VB是一款雙N溝道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用Trench技術，適用于各種領域和模塊的應用。

### 詳細參數(shù)說明：

- **包裝**：SOP8
- **結構**：雙N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：30V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：20mΩ @ VGS=4.5V；16mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：8.5A
- **技術**：Trench

### 應用示例：

1. **電源管理**：由于其低導通電阻和高漏極電流，200N03-VB適用于功率管理模塊，如電源開關和穩(wěn)壓器。

2. **電池保護**：在電池保護電路中，這款MOSFET可以用作開關管，實現(xiàn)對電池的有效保護。

3. **DC-DC轉換器**：在DC-DC轉換器中，這款MOSFET可以用于控制電能轉換，提高轉換效率。

4. **汽車電子**：在汽車電子領域，這款MOSFET可以用于汽車電子控制單元（ECU）中的功率輸出控制。

5. **LED驅(qū)動器**：在LED照明應用中，這款MOSFET可以用作驅(qū)動器，提供穩(wěn)定的電流輸出。

以上是200N03-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明和應用示例。