--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
VBsemi 200N06-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝,具有200V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的最大門極-源極電壓(VGS)。采用槽道(Trench)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性,適用于中功率電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝:** DFN8(5X6)
- **器件類型:** 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極電壓(VDS):** 200V
- **最大門極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- VGS = 10V時(shí):38mΩ
- **漏極電流(ID):** 30A
- **技術(shù):** 槽道(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源模塊:** 200N06-VB適用于中功率開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器,可用于工業(yè)和通信設(shè)備中的電源模塊。
2. **電動(dòng)汽車充電樁:** 由于其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻,200N06-VB適用于電動(dòng)汽車充電樁中的功率開關(guān)。
3. **太陽能逆變器:** 在太陽能逆變器中,這款MOSFET可以用于直流-交流轉(zhuǎn)換器,提供高效率的能量轉(zhuǎn)換。
4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:** 200N06-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)裝置,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。
5. **工業(yè)控制系統(tǒng):** 這款MOSFET可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的中功率開關(guān)器件,提供可靠的電力控制。
以上示例說明了200N06-VB MOSFET在中功率應(yīng)用中的應(yīng)用,展示了其在各種領(lǐng)域和模塊中的高性能和可靠性。
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