--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO247封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 20N60-VB TO247 產(chǎn)品簡介
20N60-VB TO247 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高壓和高電流應(yīng)用。采用了 Plannar 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和高的漏極電流能力,適用于各種高性能電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 20N60-VB TO247 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO247
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 430mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**電動(dòng)汽車**:
20N60-VB TO247 在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用廣泛,可用于電動(dòng)汽車的主要控制系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。其高額定電壓和電流能夠滿足電動(dòng)汽車對(duì)高性能組件的要求。
**工業(yè)控制**:
在工業(yè)控制領(lǐng)域,該產(chǎn)品可用于高壓開關(guān)和逆變器。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和效率。
**太陽能逆變器**:
20N60-VB TO247 適用于太陽能逆變器中的高壓開關(guān)。其優(yōu)秀的熱特性和可靠性確保了在各種環(huán)境條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
**醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,該產(chǎn)品可用于高性能電源管理模塊和電動(dòng)機(jī)控制。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為醫(yī)療設(shè)備制造商的理想選擇。
20N60-VB TO247 通過在各種高壓高性能應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用,展示了其作為高性能 MOSFET 的優(yōu)越性能,為工程師提供了一種可靠的解決方案。
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