### 25NM60ND-VB TO247 MOSFET 產(chǎn)品簡介

#### 一、產(chǎn)品簡介

VBsemi的25NM60ND-VB TO247是一款單N-溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術(shù)。該器件具有高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，適用于需要高電壓和中等電流處理能力的功率管理應(yīng)用。

#### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝 (Package)**: TO247
- **配置 (Configuration)**: 單N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 75mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術(shù) (Technology)**: SJ_Multi-EPI

#### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

25NM60ND-VB TO247 MOSFET適用于多種領(lǐng)域和模塊，以下是一些具體的應(yīng)用實例：

1. **電源開關(guān)**：由于其高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，25NM60ND-VB TO247可用作電源開關(guān)，控制高壓電路的通斷，如UPS系統(tǒng)、工業(yè)電源等。

2. **電動車控制**：在電動車控制系統(tǒng)中，25NM60ND-VB TO247可用于電動車電源控制，實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和驅(qū)動控制。

3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設(shè)備中，25NM60ND-VB TO247可用作功率開關(guān)，控制設(shè)備的運行和效率。

4. **電焊設(shè)備**：在電焊設(shè)備中，25NM60ND-VB TO247可用于控制功率開關(guān)，實現(xiàn)穩(wěn)定的焊接過程。

5. **醫(yī)療設(shè)備**：在需要高電壓和適中電流的醫(yī)療設(shè)備中，25NM60ND-VB TO247可用于電源開關(guān)和控制器件，保證設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能量轉(zhuǎn)換。

通過結(jié)合其技術(shù)特點和具體應(yīng)用，25NM60ND-VB TO247 MOSFET提供了一個高效且可靠的解決方案，滿足了多種現(xiàn)代電子系統(tǒng)的需求。