--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi的26CN10N-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于高效能電源管理和大電流應(yīng)用。其封裝形式為T(mén)O-263,提供了良好的散熱性能和高可靠性,非常適合在苛刻的工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用中使用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: 26CN10N-VB
- **封裝形式**: TO-263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 20mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 在高效電源管理系統(tǒng)中,26CN10N-VB可以作為主開(kāi)關(guān)器件,用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器和電池管理系統(tǒng)。這些應(yīng)用需要低導(dǎo)通電阻和高電流能力,以提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。
2. **汽車電子**:
- 在汽車電子應(yīng)用中,該MOSFET可以用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、電動(dòng)汽車充電模塊和車載逆變器。這些系統(tǒng)要求器件能夠在高電流條件下穩(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)具備良好的散熱性能以確保系統(tǒng)的可靠性。
3. **工業(yè)控制**:
- 在工業(yè)控制和自動(dòng)化領(lǐng)域,26CN10N-VB適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和可編程邏輯控制器(PLC)。這些應(yīng)用通常需要處理高電流和高壓,MOSFET的高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻能夠滿足這些需求。
4. **消費(fèi)電子**:
- 在消費(fèi)電子設(shè)備中,如高性能電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)器和音頻放大器,該MOSFET能夠提供高效能和低熱損耗,從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命并提升性能。
通過(guò)這些應(yīng)用示例,可以看出VBsemi的26CN10N-VB MOSFET在各種領(lǐng)域和模塊中都具有廣泛的適用性,尤其在需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)突出。
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