### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的26CN10N-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力，適用于高效能電源管理和大電流應(yīng)用。其封裝形式為T(mén)O-263，提供了良好的散熱性能和高可靠性，非常適合在苛刻的工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 26CN10N-VB
- **封裝形式**: TO-263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 20mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**：
  - 在高效電源管理系統(tǒng)中，26CN10N-VB可以作為主開(kāi)關(guān)器件，用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器和電池管理系統(tǒng)。這些應(yīng)用需要低導(dǎo)通電阻和高電流能力，以提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。

2. **汽車電子**：
  - 在汽車電子應(yīng)用中，該MOSFET可以用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）、電動(dòng)汽車充電模塊和車載逆變器。這些系統(tǒng)要求器件能夠在高電流條件下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)具備良好的散熱性能以確保系統(tǒng)的可靠性。

3. **工業(yè)控制**：
  - 在工業(yè)控制和自動(dòng)化領(lǐng)域，26CN10N-VB適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和可編程邏輯控制器（PLC）。這些應(yīng)用通常需要處理高電流和高壓，MOSFET的高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻能夠滿足這些需求。

4. **消費(fèi)電子**：
  - 在消費(fèi)電子設(shè)備中，如高性能電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)器和音頻放大器，該MOSFET能夠提供高效能和低熱損耗，從而延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命并提升性能。

通過(guò)這些應(yīng)用示例，可以看出VBsemi的26CN10N-VB MOSFET在各種領(lǐng)域和模塊中都具有廣泛的適用性，尤其在需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)突出。