### 產(chǎn)品簡介

26CNE8N-VB 是由VBsemi提供的高性能N溝道MOSFET，采用TO263封裝，具有高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，非常適合用于各種高功率應(yīng)用中。該器件利用了先進(jìn)的Trench技術(shù)，提供了出色的電氣性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO263
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：80V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**：3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：120A
- **技術(shù)**：Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

26CNE8N-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用，以下是一些典型的應(yīng)用示例：

1. **電源管理**：
  該MOSFET可以用于開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管，由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，能夠提高電源效率和減少熱量產(chǎn)生。

2. **電機(jī)驅(qū)動**：
  在電動汽車和工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中，26CNE8N-VB可以用作電機(jī)驅(qū)動器中的開關(guān)器件，提供高效的電流傳輸和控制。

3. **逆變器**：
  該器件適用于太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)，能夠高效地轉(zhuǎn)換直流電為交流電，并確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **負(fù)載開關(guān)**：
  在各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，如電池管理系統(tǒng)（BMS）和通信設(shè)備中，該MOSFET可以用作高電流開關(guān)元件，提供可靠的負(fù)載控制和保護(hù)功能。

5. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**：
  26CNE8N-VB 適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中，能夠在高頻率下實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。

這些應(yīng)用示例展示了26CNE8N-VB的多功能性和高性能，使其成為眾多高功率電子系統(tǒng)中的理想選擇。