### 1. 產(chǎn)品簡介：

26NM60N-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造，具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性。該器件適用于各種高壓應(yīng)用場合，包括電源、逆變器和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

### 2. 參數(shù)說明：

- **器件類型**：單N溝道MOSFET
- **封裝**：TO220F
- **最大漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **最大柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術(shù)特點**：SJ_Multi-EPI

### 3. 應(yīng)用示例：

- **電源**：26NM60N-VB適用于高壓電源模塊，如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。其高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻可以提高電源的效率和穩(wěn)定性。

- **逆變器**：在逆變器中，26NM60N-VB可以用作功率開關(guān)，實現(xiàn)對直流電的高效轉(zhuǎn)換為交流電。逆變器廣泛應(yīng)用于太陽能發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域。

- **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，26NM60N-VB可以用作開關(guān)元件，實現(xiàn)對各種工業(yè)設(shè)備的控制。其高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻特性可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。