--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### VBsemi 28NM50N-VB MOSFET 產(chǎn)品概述
VBsemi 28NM50N-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于需要高效能功率開關(guān)和電源管理的各種應(yīng)用。該器件具有穩(wěn)健的性能和可靠性,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
### 詳細規(guī)格
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單 N-Channel
- **VDS(漏源電壓)**:500V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(漏源電阻)**:140mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流)**:30A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用示例
1. **工業(yè)電源系統(tǒng)**:
28NM50N-VB 可用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的開關(guān)電源,如變頻器和逆變器。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為處理大功率的理想選擇,有助于提高工業(yè)設(shè)備的效率和性能。
2. **太陽能逆變器**:
該 MOSFET 適用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)和電源管理。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高太陽能電池系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
3. **電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中,28NM50N-VB 可用于功率開關(guān)和電源管理。其高電流處理能力和穩(wěn)定性能使其成為電動汽車充電設(shè)備的可靠組件。
4. **高壓直流輸電(HVDC)**:
由于其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,該器件可用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的功率開關(guān)和控制,有助于提高能源傳輸?shù)男屎涂煽啃浴?/p>
總的來說,VBsemi 28NM50N-VB MOSFET 可在工業(yè)電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、電動汽車充電樁和高壓直流輸電等領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用,為各種應(yīng)用提供高效能的功率開關(guān)和電源管理解決方案。
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