### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi 的 2N06L05-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO263 封裝。這款 MOSFET 具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，適用于高功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 2N06L05-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 12mΩ @ VGS = 4.5V, 3.2mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**: 210A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源模塊**: 2N06L05-VB 可用于高功率電源模塊，例如直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC) 和直流-交流轉(zhuǎn)換器 (DC-AC)。其低導(dǎo)通電阻和高漏電流能力有助于提高轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車充電樁**: 在電動(dòng)汽車充電樁中，這款 MOSFET 可用于控制高功率充電電源的開關(guān)。其高電流承載能力和穩(wěn)定性使其成為充電樁的關(guān)鍵部件。

3. **太陽(yáng)能逆變器**: 在太陽(yáng)能逆變器中，2N06L05-VB 可用于控制太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高逆變器的效率。

4. **工業(yè)高功率開關(guān)**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中，這款 MOSFET 可用于高功率開關(guān)控制，例如高功率繼電器和控制器。其穩(wěn)定的開關(guān)性能和高電流承載能力確保了設(shè)備的可靠性。

5. **激光器控制**: 在激光器控制電路中，2N06L05-VB 可用于控制激光器的開關(guān)和功率調(diào)節(jié)。其高穩(wěn)定性和可靠性確保了激光器系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。