### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的2N120-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用了溝槽技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力。該器件適用于需要高電壓和中等電流的應(yīng)用，如電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域。2N120-VB采用TO252封裝，具有良好的散熱性能和中等功率密度，適合于需要中等功率密度和高可靠性的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 2N120-VB
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**：
  - 在需要中等功率密度和高電壓的電源管理系統(tǒng)中，2N120-VB可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器。其中等導(dǎo)通電阻和高漏源極電壓使其能夠提供穩(wěn)定的功率輸出。

2. **工業(yè)控制**：
  - 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，該MOSFET適用于電機驅(qū)動器和電源逆變器。其高漏源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻可滿足工業(yè)控制系統(tǒng)對穩(wěn)定性和效率的要求。

3. **照明系統(tǒng)**：
  - 在LED照明系統(tǒng)中，2N120-VB可用作LED驅(qū)動器的開關(guān)器件。其高漏源極電壓和中等導(dǎo)通電阻可確保LED照明系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。

4. **醫(yī)療設(shè)備**：
  - 在醫(yī)療設(shè)備中，該MOSFET可用于電源管理和電機驅(qū)動等應(yīng)用。其高可靠性和穩(wěn)定性可確保醫(yī)療設(shè)備的安全運行。

綜上所述，VBsemi的2N120-VB MOSFET適用于各種需要中等功率密度和高電壓的應(yīng)用領(lǐng)域，特別是在電源管理、工業(yè)控制和照明系統(tǒng)等領(lǐng)域表現(xiàn)突出。