### 產(chǎn)品簡介

**2N80L-TM3-R-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用TO251封裝。這款MOSFET具有800V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為2600mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于中功率應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
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| 封裝類型            | TO251                  |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 800V                   |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                   |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） | 2600mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏極電流（ID）  | 2A                     |
| 技術(shù)                | SJ_Multi-EPI           |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源開關(guān)**：2N80L-TM3-R-VB MOSFET適用于電源開關(guān)應(yīng)用，如電源適配器、電源管理單元等。其高漏源電壓和穩(wěn)定性能使其能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載。

2. **電動車充電樁**：在電動車充電樁中，這款MOSFET可以用作開關(guān)元件，控制電流的通斷，保證充電過程的穩(wěn)定性和安全性。

3. **感應(yīng)加熱器**：在感應(yīng)加熱器電路中，2N80L-TM3-R-VB可以用來控制感應(yīng)線圈的工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)對加熱器的功率調(diào)節(jié)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠在高功率加熱場景下工作穩(wěn)定。