--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 產(chǎn)品概述
VBsemi 2N80L-TN3-R-VB 是一款 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于中功率應(yīng)用。該器件具有穩(wěn)定的性能和可靠性,適用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
### 詳細(xì)規(guī)格
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 N-Channel
- **VDS(漏源電壓)**:800V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(漏源電阻)**:2600mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流)**:2A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用示例
1. **電源開關(guān)**:
2N80L-TN3-R-VB 可用作電源開關(guān),控制中功率電源的開關(guān)。其高漏源電壓和適中的漏源電阻使其成為電源開關(guān)的理想選擇。
2. **逆變器**:
該 MOSFET 可用于逆變器電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其穩(wěn)定的性能和高漏源電壓使其適用于逆變器應(yīng)用。
3. **照明控制**:
在照明控制中,2N80L-TN3-R-VB 可用于控制燈光的開關(guān)和亮度。其高電壓和適中的電流能力使其成為照明控制的理想選擇。
4. **電動(dòng)車充電器**:
由于其高漏源電壓和適中的電流能力,該器件可用于電動(dòng)車充電器中的開關(guān)和控制電路。
總的來說,VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 可在電源開關(guān)、逆變器、照明控制和電動(dòng)車充電器等領(lǐng)域中發(fā)揮作用,為各種中功率應(yīng)用提供高效能的解決方案。
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