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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2N80-VB一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2N80-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

2N80-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有高可靠性和適用于高壓環(huán)境的特性。該器件適用于需要高電壓和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合,如電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制等領(lǐng)域。

### 2. 參數(shù)說(shuō)明:

- **器件類型**:?jiǎn)蜰溝道MOSFET
- **封裝**:TO252
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**:800V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:2600mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:2A
- **技術(shù)特點(diǎn)**:SJ_Multi-EPI

### 3. 應(yīng)用示例:

- **電源逆變器**:2N80-VB適用于高壓電源逆變器,如太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)。其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性可以提高逆變器的效率和穩(wěn)定性。

- **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,2N80-VB可以用作電機(jī)控制開關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的高效控制。其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性可以提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

- **照明控制**:在照明控制模塊中,2N80-VB可以用作照明控制開關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)照明的高效控制。其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性可以提高照明控制系統(tǒng)的性能。

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