### 產(chǎn)品簡介
VBsemi的2N90L-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，封裝在TO220F中。這款MOSFET具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于中高壓開關應用，如電源逆變器、電機驅動器等領域。
### 詳細的參數(shù)說明
- **型號**: 2N90L-TF3-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 950V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 5400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 3A
- **技術**: Plannar
### 應用領域和模塊
1. **電源逆變器**
- **應用場景**: 用作功率開關元件，用于控制電源逆變器的開關。
- **模塊**: 電源逆變器模塊、電力電子轉換器。
2. **電機驅動器**
- **應用場景**: 用于控制電機的開關，實現(xiàn)電機的啟停和轉向控制。
- **模塊**: 電機驅動器模塊、工業(yè)自動化系統(tǒng)。
3. **充電樁**
- **應用場景**: 用作充電樁中的開關元件，控制充電樁的輸出電壓和電流。
- **模塊**: 充電樁控制模塊、電動車充電樁。
2N90L-TF3-T-VB適用于中高壓開關應用，能夠提供穩(wěn)定可靠的性能，在電源逆變器、電機驅動器和充電樁等領域有廣泛的應用。
