### 產(chǎn)品簡介

2N90-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，由VBsemi提供。該器件具有950V的漏極-源極電壓，適用于中功率應(yīng)用。采用了Plannar技術(shù)，提供了可靠的性能和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：950V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：5400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：3A
- **技術(shù)**：Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

2N90-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用，以下是一些典型的應(yīng)用示例：

1. **電源管理**：
  由于其高漏極-源極電壓，該器件適用于電源管理應(yīng)用，如開關(guān)電源、逆變器等。

2. **電機(jī)驅(qū)動**：
  在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，2N90-VB 可以用作電機(jī)控制電路中的開關(guān)器件，幫助實現(xiàn)電機(jī)的控制和調(diào)節(jié)。

3. **電動汽車充電**：
  該器件適用于電動汽車充電樁中的開關(guān)器件，幫助實現(xiàn)對電動汽車充電的控制和管理。

4. **工業(yè)控制**：
  2N90-VB 可以用作工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)器件，實現(xiàn)對各種設(shè)備和機(jī)械的控制。

5. **醫(yī)療設(shè)備**：
  在醫(yī)療設(shè)備中，該MOSFET 可以用于電源管理和控制電路，保證設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

以上應(yīng)用示例展示了2N90-VB 的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域和多功能性，使其成為各種電子系統(tǒng)中的理想選擇。