--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**2SJ133-VB MOSFET** 是由VBsemi公司生產(chǎn)的一款高性能P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高額定電流能力,非常適用于要求高效率和可靠性的應(yīng)用場景。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單P-溝道
- **漏源電壓(VDS)**:-60V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **柵極閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:-30A
- **技術(shù)類型**:溝槽技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 在電源管理系統(tǒng)中,2SJ133-VB MOSFET由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。這有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少功耗。
2. **電機控制**:
- 該MOSFET在電機驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠承受高電流且具有較低的開關(guān)損耗。適用于各種電機控制器和伺服系統(tǒng)。
3. **負(fù)載開關(guān)**:
- 2SJ133-VB適用于高效負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,特別是在需要快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的場景下,如工業(yè)自動化系統(tǒng)中的負(fù)載管理。
**模塊應(yīng)用舉例:**
1. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,2SJ133-VB MOSFET可用于逆變器模塊,通過高效的電能轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的整體效率。
2. **電動汽車充電器**:
- 在電動汽車充電器中,這款MOSFET可以優(yōu)化充電過程中的電流控制,提供穩(wěn)定和高效的充電體驗。
3. **不間斷電源(UPS)**:
- 在UPS系統(tǒng)中,2SJ133-VB能夠在電源故障時迅速切換到備用電池電源,確保設(shè)備的連續(xù)運行和數(shù)據(jù)安全。
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