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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SJ466-VB一種P-Channel溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): 2SJ466-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):2SJ466-VB**
2SJ466-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用TO263封裝,具備高性能和可靠性。其采用槽溝道(Trench)技術(shù),結(jié)合了高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于高功率應(yīng)用。

### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)

- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -75A
- **技術(shù)類型**: 槽溝道(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

2SJ466-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用。以下是一些示例:

1. **電源管理模塊**: 由于其高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻特性,該MOSFET適用于高功率的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。它能夠有效地處理高功率,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和分配。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)**: 在需要高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制的應(yīng)用中,2SJ466-VB MOSFET的高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通損耗可以提高系統(tǒng)的效率和性能。這在電動(dòng)汽車、工業(yè)機(jī)械和機(jī)器人等領(lǐng)域具有重要意義。

3. **電力電子**: 在需要高功率的電力電子系統(tǒng)中,2SJ466-VB 可以用于功率因數(shù)校正電路、逆變器和變頻器等高功率電路中,以提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

4. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心**: 在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理和功率控制系統(tǒng)中,2SJ466-VB 的高功率特性使其成為高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)處理的理想選擇。

通過(guò)結(jié)合高導(dǎo)通電流、低導(dǎo)通電阻和槽溝道技術(shù),2SJ466-VB MOSFET 是高功率應(yīng)用的理想選擇。其可靠性和性能使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中得到廣泛應(yīng)用。

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