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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SJ633-VB一種P-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: 2SJ633-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SJ633-VB MOSFET 產(chǎn)品概述

**簡介:**
2SJ633-VB是VBsemi設計的P-Channel MOSFET,適用于需要高效能電源管理的各種應用。采用Trench技術(shù),具有低導通電阻和高電流承載能力,是對性能要求高的應用的理想選擇。

**特點:**
- **漏極-源極電壓(VDS):** -60V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** -1.7V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 72mΩ @ VGS = 4.5V,61mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** -30A
- **技術(shù):** 溝道
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單P-Channel

### 詳細規(guī)格

1. **電氣特性:**
  - **最大漏極-源極電壓(VDS):** -60V
  - **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
  - **閾值電壓(Vth):** -1.7V
  - **導通電阻(RDS(ON)):** 
    - 72mΩ @ VGS = 4.5V
    - 61mΩ @ VGS = 10V
  - **連續(xù)漏極電流(ID):** -30A

2. **熱性能和機械特性:**
  - **封裝類型:** TO252
  - **結(jié)-外界熱阻:** 標準TO252封裝的熱阻
  - **最大結(jié)溫(Tj):** 由制造商指定

3. **性能特點:**
  - **技術(shù):** 溝道
  - **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
  - **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值

### 應用示例

1. **電源管理:**
  2SJ633-VB非常適合用于消費類電子產(chǎn)品中的電源管理系統(tǒng)。其高電流承載能力和低導通電阻使其適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高效的電源調(diào)節(jié),最大限度地減少能量損耗。

2. **LED照明:**
  在LED照明應用中,2SJ633-VB可用于驅(qū)動LED燈。其高電流承載能力和低導通電阻確保LED燈的穩(wěn)定亮度和高效能使用。

3. **醫(yī)療設備:**
  由于2SJ633-VB具有高電流承載能力和穩(wěn)定性能,因此可用于醫(yī)療設備中的電源管理和驅(qū)動器,確保設備的可靠性和安全性。

4. **電池管理:**
  2SJ633-VB可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。其高電流承載能力和低導通電阻有助于提高電池系統(tǒng)的效率和性能。

總之,VBsemi的2SJ633-VB MOSFET是一款多功能且高性能的組件,適用于廣泛的應用,包括電源管理、LED照明、醫(yī)療設備和電池管理系統(tǒng)。其先進的溝道技術(shù)和穩(wěn)健的規(guī)格使其成為苛刻環(huán)境下的理想選擇。

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