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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SJ636-VB一種P-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: 2SJ636-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品型號:2SJ636-VB**

**封裝類型:TO252**

**配置:單一P溝道**

**技術(shù):Trench**

**主要特點:**
- **VDS(漏源電壓):** -100V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** -2V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 280mΩ@VGS=4.5V;250mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** -8.8A

2SJ636-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于各種低壓電源和開關(guān)電路應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

1. **基本參數(shù):**
  - **型號:** 2SJ636-VB
  - **封裝類型:** TO252
  - **配置:** 單一P溝道
  - **技術(shù):** Trench

2. **電氣特性:**
  - **漏源電壓 (VDS):** -100V
  - **柵源電壓 (VGS):** ±20V
  - **閾值電壓 (Vth):** -2V

3. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - **@ VGS=4.5V:** 280mΩ
  - **@ VGS=10V:** 250mΩ

4. **漏極電流 (ID):** -8.8A

5. **其他特性:**
  - **最大耗散功率:** 25W
  - **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **低壓電源:**
  由于2SJ636-VB具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流承載能力,適用于低壓電源的開關(guān)和穩(wěn)壓控制。

2. **LED照明:**
  在LED照明驅(qū)動電路中,這款MOSFET可用于開關(guān)電源和LED驅(qū)動器,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出。

3. **電動工具:**
  用于電動工具中的電機控制電路,能提供高效的電流開關(guān)和管理,提高電動工具的性能和壽命。

4. **汽車電子:**
  在汽車電子領(lǐng)域,2SJ636-VB可用于車輛電子控制單元(ECU)中的馬達控制和其他功率開關(guān)應(yīng)用,提高汽車電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

綜上所述,2SJ636-VB是一款多功能P溝道MOSFET,適用于各種低壓、高電流的電源和開關(guān)應(yīng)用,是許多電子系統(tǒng)中的理想選擇。

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