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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SJ655-VB一種P-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號: 2SJ655-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品型號:2SJ655-VB**

**封裝類型:TO220F**

**配置:單一P溝道**

**技術(shù):Trench**

**主要特點(diǎn):**
- **VDS(漏源電壓):** -100V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** -2V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 120mΩ@VGS=4.5V;100mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** -23A

2SJ655-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于高功率的開關(guān)電源和馬達(dá)控制等應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

1. **基本參數(shù):**
  - **型號:** 2SJ655-VB
  - **封裝類型:** TO220F
  - **配置:** 單一P溝道
  - **技術(shù):** Trench

2. **電氣特性:**
  - **漏源電壓 (VDS):** -100V
  - **柵源電壓 (VGS):** ±20V
  - **閾值電壓 (Vth):** -2V

3. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - **@ VGS=4.5V:** 120mΩ
  - **@ VGS=10V:** 100mΩ

4. **漏極電流 (ID):** -23A

5. **其他特性:**
  - **最大耗散功率:** 180W
  - **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源:**
  2SJ655-VB適用于高功率開關(guān)電源,如電源適配器、電動工具充電器等,其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力有助于提高能效和穩(wěn)定性。

2. **馬達(dá)控制:**
  在工業(yè)和汽車領(lǐng)域的馬達(dá)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用作功率開關(guān),提供高效的電流控制和管理,幫助提高系統(tǒng)性能。

3. **電動汽車充電樁:**
  用于電動汽車充電樁中的功率開關(guān),能夠承受高電壓和電流,確保充電效率和安全性。

4. **工業(yè)自動化:**
  在工業(yè)自動化設(shè)備中,2SJ655-VB可用于高功率的電機(jī)驅(qū)動、伺服控制等應(yīng)用,提高系統(tǒng)的效率和精度。

綜上所述,2SJ655-VB是一款高性能的P溝道MOSFET,適用于各種高功率的電源和馬達(dá)控制應(yīng)用,是許多工業(yè)和汽車電子系統(tǒng)中的理想選擇。

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