--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SJ662-VB產(chǎn)品簡介
VBsemi的2SJ662-VB是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。該器件封裝在TO-263封裝中,具備極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于需要高功率處理的功率管理和開關(guān)應(yīng)用。其特性包括-60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),確保了在高壓和高電流環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。
### 二、2SJ662-VB詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 2SJ662-VB
- **封裝類型**: TO-263
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 25mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -80A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電機(jī)驅(qū)動器**: 由于2SJ662-VB具有較高的漏極電流和低導(dǎo)通電阻,適用于電機(jī)驅(qū)動器中的開關(guān)元件。這些驅(qū)動器可用于控制各種類型的電機(jī),如直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和交流電機(jī)。
2. **電源開關(guān)模塊**: 在需要承受高電壓和電流的電源開關(guān)模塊中,2SJ662-VB也有著廣泛的應(yīng)用。這些模塊在電源管理系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用,如開關(guān)電源和逆變器。
3. **工業(yè)自動化**: 該MOSFET適用于各種工業(yè)自動化應(yīng)用,如機(jī)器人、PLC和工業(yè)控制系統(tǒng)。其高性能和可靠性使其成為工業(yè)環(huán)境中的理想選擇。
綜上所述,2SJ662-VB適用于需要高功率處理和可靠性的功率管理和開關(guān)應(yīng)用。其特性使其在工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域中都有著重要的應(yīng)用前景。
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