--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SJ664-VB 產(chǎn)品簡介
2SJ664-VB 是一款單一 P 通道 MOSFET,封裝形式為 TO263。該型號采用 Trench 技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)特性,適用于中功率電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 -100V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -2V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 50mΩ,在 VGS=10V 時為 40mΩ,最大漏極電流(ID)為 -37A。
### 二、2SJ664-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**:2SJ664-VB
- **封裝**:TO263
- **類型**:單一 P 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:50mΩ
- @ VGS=10V:40mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:-37A
- **導(dǎo)通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:70nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:18nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:52nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 1.2°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例
#### 電源管理模塊
2SJ664-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器,特別是在需要高效率和低損耗的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
#### 汽車電子
由于其較高的漏極電流和較低的導(dǎo)通電阻,該型號適用于汽車電子系統(tǒng)中的功率開關(guān)和驅(qū)動電路,如車載充電器、電動車電池管理系統(tǒng)等。
#### 工業(yè)控制
在工業(yè)控制領(lǐng)域,2SJ664-VB 可用于各種中功率電機驅(qū)動和控制系統(tǒng),如工業(yè)自動化設(shè)備和機械控制系統(tǒng)。
#### LED 照明
在 LED 照明應(yīng)用中,該型號可用于 LED 驅(qū)動電路和調(diào)光系統(tǒng),幫助實現(xiàn)高效率和穩(wěn)定性的 LED 光源控制。
#### 通信設(shè)備
在通信設(shè)備中,2SJ664-VB 可用于功率放大器和電源管理模塊,確保設(shè)備在高效率和穩(wěn)定性下工作。
綜上所述,2SJ664-VB 在中功率電路設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用前景,是一款高性能 MOSFET 元件,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
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