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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1006-01MR-VB一種N-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號: 2SK1006-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:2SK1006-01MR-VB**

2SK1006-01MR-VB是一款采用TO-220F封裝的單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該產(chǎn)品具有高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高壓和低功耗的應(yīng)用場景。其采用了Plannar技術(shù),具備良好的電氣特性和可靠性。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝:** TO-220F
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** 7A
- **技術(shù):** Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例

**1. 電源逆變器:**

2SK1006-01MR-VB適用于電力電子領(lǐng)域中的電源逆變器。其高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻能夠提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換和高效率的能量轉(zhuǎn)換。

**2. 工業(yè)控制系統(tǒng):**

在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電機控制器和功率調(diào)節(jié)器。其高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高設(shè)備的性能和可靠性。

**3. 電動汽車充電樁:**

2SK1006-01MR-VB適用于電動汽車充電樁的功率開關(guān)和電流調(diào)節(jié)器。其高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻能夠提高充電效率和可靠性。

**4. 太陽能逆變器:**

該型號可用于太陽能逆變器的電源開關(guān)和調(diào)節(jié)器。其高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

以上應(yīng)用實例展示了2SK1006-01MR-VB MOSFET在高壓和低功耗要求的領(lǐng)域中的廣泛適用性,體現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要性。

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