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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1008-01-VB一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號: 2SK1008-01-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1008-01-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1008-01-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號采用 Plannar 技術(shù)制造,具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于中功率電路設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 600V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時(shí)為 1070mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 780mΩ,最大漏極電流(ID)為 8A。

### 二、2SK1008-01-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:2SK1008-01-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:Plannar
- **最大漏源電壓 (VDS)**:600V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS=4.5V:1070mΩ
 - @ VGS=10V:780mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:8A
- **導(dǎo)通延遲時(shí)間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時(shí)間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:40nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:10nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:30nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 2.5°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

#### 電源管理模塊
2SK1008-01-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,特別是在需要承受較高電壓和電流的場合,如電源逆變器和開關(guān)電源。

#### 電動(dòng)汽車充電器
由于其較高的漏極電流和較低的導(dǎo)通電阻,該型號適用于電動(dòng)汽車充電器中的功率開關(guān)電路,確保充電器的高效率和安全性。

#### 工業(yè)電機(jī)控制
在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域,2SK1008-01-VB 可用于各種中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng),如風(fēng)力發(fā)電機(jī)、泵站控制等。

#### 電力傳輸與分配
該型號也可用于電力傳輸和分配系統(tǒng)中的功率開關(guān)和保護(hù)電路,確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

#### 電源逆變器
在太陽能和風(fēng)能等可再生能源系統(tǒng)中,2SK1008-01-VB 可用于逆變器電路,幫助實(shí)現(xiàn)能量的高效轉(zhuǎn)換和管理。

綜上所述,2SK1008-01-VB 在中功率電路設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景,是一款高性能 MOSFET 元件,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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