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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1282-Z-E2-VB一種N-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): 2SK1282-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào):2SK1282-Z-E2-VB**

**封裝類型:TO252**

**配置:?jiǎn)我籒溝道**

**技術(shù):Trench**

**主要特點(diǎn):**
- **VDS(漏源電壓):** 60V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 85mΩ@VGS=4.5V,73mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 18A

2SK1282-Z-E2-VB是一款中功率N溝道MOSFET,適用于中功率應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

1. **基本參數(shù):**
  - **型號(hào):** 2SK1282-Z-E2-VB
  - **封裝類型:** TO252
  - **配置:** 單一N溝道
  - **技術(shù):** Trench

2. **電氣特性:**
  - **漏源電壓 (VDS):** 60V
  - **柵源電壓 (VGS):** ±20V
  - **閾值電壓 (Vth):** 1.7V

3. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - **@ VGS=4.5V:** 85mΩ
  - **@ VGS=10V:** 73mΩ

4. **漏極電流 (ID):** 18A

5. **其他特性:**
  - **最大耗散功率:** 38W
  - **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理:**
  由于2SK1282-Z-E2-VB具有中等漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于各種中功率電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源、逆變器等。

2. **電動(dòng)工具:**
  在中功率電動(dòng)工具中的電機(jī)控制電路,能提供高效的電流開關(guān)和管理,提高電動(dòng)工具的性能和壽命。

3. **家用電器:**
  在家用電器的功率控制中,這款MOSFET可用于開關(guān)電源和電機(jī)控制,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出。

4. **工業(yè)自動(dòng)化:**
  在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,2SK1282-Z-E2-VB可用于控制系統(tǒng)中的功率開關(guān),提供高效的電流控制和管理,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

綜上所述,2SK1282-Z-E2-VB是一款適用于中功率應(yīng)用的N溝道MOSFET,可廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。

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