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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1313L-VB一款N-Channel溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK1313L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1313L-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1313L-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO251。該型號采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造,具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于中功率電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 950mΩ,最大漏極電流(ID)為 5A。

### 二、2SK1313L-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:2SK1313L-VB
- **封裝**:TO251
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:950mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **導(dǎo)通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:40nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:10nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:30nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.5°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例

#### 電源管理模塊
2SK1313L-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,特別是在需要承受中等電壓和電流的場合,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。

#### 汽車電子系統(tǒng)
由于其較高的漏極電流和較低的導(dǎo)通電阻,該型號適用于汽車電子系統(tǒng)中的功率開關(guān)電路,如車載充電器、電動車輛驅(qū)動器等。

#### 工業(yè)控制系統(tǒng)
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1313L-VB 可用于各種中功率電機驅(qū)動和控制系統(tǒng),如電機控制器、工業(yè)自動化設(shè)備等。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,該型號可用于逆變器電路,幫助實現(xiàn)太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換和管理。

#### LED 照明系統(tǒng)
在 LED 照明系統(tǒng)中,2SK1313L-VB 可用于 LED 驅(qū)動電路,提供高效率和可靠性的 LED 照明解決方案。

綜上所述,2SK1313L-VB 是一款適用于中功率電路設(shè)計的高性能 MOSFET 元件,具有廣泛的應(yīng)用前景,可用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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