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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1573-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK1573-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1573-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1573-VB 是一種高性能的單 N-溝道 MOSFET,封裝形式為 TO3P,適用于各種高壓和高電流應(yīng)用。這款 MOSFET 具備 600V 的漏源電壓 (VDS) 和 15A 的漏極電流 (ID),并且采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù),以確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。2SK1573-VB 的設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)和放大電路中具有出色的性能,特別適合需要高效率和可靠性的場(chǎng)景。

### 二、2SK1573-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單 N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門(mén)限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 280mΩ (在 VGS = 10V 時(shí))
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK1573-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用,具體包括:

1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:
  - 在開(kāi)關(guān)電源中,2SK1573-VB 用于高效的電力轉(zhuǎn)換。這種應(yīng)用需要高耐壓和低導(dǎo)通電阻以實(shí)現(xiàn)高效的電能傳遞和最小化功率損耗。
 
2. **逆變器**:
  - 在太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器中,這款 MOSFET 用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓和電流能力使其適用于需要穩(wěn)定和可靠輸出的逆變器系統(tǒng)。
 
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 在工業(yè)和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,2SK1573-VB 能夠提供高效率的電能轉(zhuǎn)換和控制,確保電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)且高效。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:
  - 在電動(dòng)汽車(chē)和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,2SK1573-VB 用于電池的充放電控制和電壓管理,其高耐壓特性確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。
 
通過(guò)以上的應(yīng)用場(chǎng)景,可以看出2SK1573-VB 具有廣泛的適用性,能夠滿(mǎn)足各種高壓和高電流需求的應(yīng)用場(chǎng)合。

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