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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1620L-VB一款N-Channel溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK1620L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1620L-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1620L-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO251 封裝,適用于高電壓和高功率應(yīng)用。該型號(hào)具有低導(dǎo)通電阻和高電流容量,適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備。其主要特點(diǎn)包括 200V 的漏源電壓(VDS)、56mΩ@VGS=10V 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、25A 的連續(xù)漏極電流(ID)以及 3V 的閾值電壓(Vth)。這些特性使其非常適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)和逆變器等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)        | 數(shù)值                    | 單位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封裝類(lèi)型    | TO251                   |      |
| 配置        | 單 N 溝道               |      |
| 漏源電壓 (VDS) | 200                     | V    |
| 柵源電壓 (VGS) | 20 (±)                 | V    |
| 閾值電壓 (Vth)  | 3                       | V    |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 56                      | mΩ   |
| 漏極電流 (ID)   | 25                      | A    |
| 技術(shù)        | 溝道                    |      |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

2SK1620L-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,主要包括以下幾個(gè)方面:

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:在高功率開(kāi)關(guān)電源中,2SK1620L-VB 的高電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為高效能的開(kāi)關(guān)元件,有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少功率損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其高電流處理能力,2SK1620L-VB 非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,尤其是在需要高效率和高可靠性的工業(yè)和家用電器中。

3. **電池保護(hù)電路**:在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用作高功率開(kāi)關(guān),確保電池在充電和放電過(guò)程中不受過(guò)電流和過(guò)電壓的影響,延長(zhǎng)電池壽命并提高安全性。

4. **逆變器**:在高功率逆變器中,2SK1620L-VB 的高電壓容量和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

這些示例展示了 2SK1620L-VB 在高功率應(yīng)用中的重要作用,其高效能和可靠性使其成為許多工程師的首選元件之一。

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