### 產品簡介

**型號：2SK1667-VB**

2SK1667-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，封裝類型為TO220。該產品采用先進的溝道技術，具備出色的電壓和電流性能，適用于高壓高功率的應用場合。其主要特點包括250V的漏源電壓（VDS），±20V的柵源電壓（VGS），以及14A的連續(xù)漏極電流（ID）。此外，它具有低導通電阻（RDS(ON)）在高柵源電壓下的表現，為190mΩ@VGS=10V。

### 詳細參數說明

| 參數          | 值                |
| --------------| ------------------ |
| 型號          | 2SK1667-VB        |
| 封裝類型      | TO220             |
| 配置          | 單N溝道           |
| 漏源電壓（VDS）| 250V              |
| 柵源電壓（VGS）| ±20V              |
| 閾值電壓（Vth）| 3.5V              |
| 導通電阻（RDS(ON)）| 190mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流（ID）| 14A              |
| 技術          | 溝道              |

### 應用領域和模塊示例

**應用領域：**

1. **電源管理：**
  2SK1667-VB 可以用于高壓高功率的電源管理系統(tǒng)中，例如高壓DC-DC轉換器和AC-DC電源適配器。其高漏源電壓能力和低導通電阻確保了電源轉換效率和可靠性。

2. **工業(yè)電機驅動：**
  在工業(yè)電機驅動系統(tǒng)中，該MOSFET可以用于控制和驅動工業(yè)電機。其高電流處理能力和穩(wěn)定性能使其能夠滿足工業(yè)電機高功率輸出的要求。

3. **電動車充電器：**
  在電動車充電器中，2SK1667-VB可以用于控制和調節(jié)電動車充電器的輸出。其高漏源電壓和低導通電阻確保了充電器的高效率和穩(wěn)定性。

**模塊示例：**

1. **高壓開關模塊：**
  2SK1667-VB 可以集成到高壓開關模塊中，用于切換和控制高壓電路。其250V的漏源電壓和低導通電阻確保了模塊的高效率和低損耗。

2. **電源放大模塊：**
  在音頻和RF功率放大應用中，該MOSFET可以作為功率放大器的一部分。其高電流處理能力和低導通電阻確保了信號的高保真放大。

3. **高壓穩(wěn)壓模塊：**
  2SK1667-VB 可以用于設計高壓穩(wěn)壓模塊，例如用于醫(yī)療設備和工業(yè)設備中。其穩(wěn)定的性能和高電流處理能力使其能夠滿足高壓穩(wěn)壓的要求。