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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1916-01R-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK1916-01R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1916-01R-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

2SK1916-01R-VB 是一款高性能、單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于中高壓、高功率應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括 550V 的漏源電壓(VDS)、18A 的漏極電流(ID),以及在不同柵源電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):260mΩ@VGS=10V。該產(chǎn)品采用平面結(jié)構(gòu)(Plannar)技術(shù)制造,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高功率能力。

### 2SK1916-01R-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 550V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 260mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: 平面結(jié)構(gòu)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK1916-01R-VB MOSFET 適用于以下中高壓、高功率應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: 由于其高漏源電壓和高漏極電流能力,2SK1916-01R-VB 可用作高壓開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)器件,支持高功率設(shè)備的能效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **工業(yè)電力設(shè)備**: 該 MOSFET 適用于工業(yè)電力設(shè)備中的電源開關(guān)和控制模塊,確保設(shè)備在高負(fù)載和高效能要求下的穩(wěn)定運(yùn)行,如高壓直流輸電設(shè)備。

3. **電動(dòng)汽車充電樁**: 在電動(dòng)汽車充電樁中,2SK1916-01R-VB 可用于高壓充電樁的電源管理和功率控制模塊,支持高效的充電過程和電能轉(zhuǎn)換。

4. **太陽能逆變器**: 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,2SK1916-01R-VB 可用于逆變器模塊中,處理直流電到交流電的轉(zhuǎn)換,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

5. **高壓直流輸電**: 由于其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,這款 MOSFET 可用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的開關(guān)控制模塊,支持高效的電能傳輸和穩(wěn)定的系統(tǒng)運(yùn)行。

綜上所述,2SK1916-01R-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別適用于中高壓、高功率處理能力的場合,能夠滿足各種領(lǐng)域的需求。

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