### 2SK1958-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1958-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET，采用 SC70-3 封裝，適用于低電壓和低功率應(yīng)用。該型號具有低導(dǎo)通電阻和適中的電流容量，適用于多種電子設(shè)備和模塊。其主要特點包括 20V 的漏源電壓（VDS）、48mΩ@VGS=2.5V、40mΩ@VGS=4.5V 和 36mΩ@VGS=10V 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、4A 的連續(xù)漏極電流（ID）以及 0.5~1.5V 的閾值電壓（Vth）。這些特性使其適合用于移動設(shè)備、充電保護、LED 燈驅(qū)動和低功率開關(guān)電路等低功率應(yīng)用場景。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)        | 數(shù)值                    | 單位 |
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| 封裝類型    | SC70-3                  |      |
| 配置        | 單 N 溝道               |      |
| 漏源電壓 (VDS) | 20                      | V    |
| 柵源電壓 (VGS) | 12 (±)                  | V    |
| 閾值電壓 (Vth)  | 0.5~1.5                 | V    |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=2.5V | 48                      | mΩ   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 40                      | mΩ   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 36                      | mΩ   |
| 漏極電流 (ID)   | 4                       | A    |
| 技術(shù)        | 溝道                    |      |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

2SK1958-VB MOSFET 適用于多個領(lǐng)域和模塊，主要包括以下幾個方面：

1. **移動設(shè)備**：在需要輕巧和節(jié)能的移動設(shè)備中，2SK1958-VB 的低導(dǎo)通電阻和低功率特性使其成為理想的開關(guān)元件，有助于延長電池壽命并提高設(shè)備性能。

2. **充電保護**：在需要保護充電電池免受過電流和過電壓的影響的電路中，該型號可以用作保護開關(guān)，確保電池充電過程安全穩(wěn)定。

3. **LED 燈驅(qū)動**：由于其適中的電流容量和低導(dǎo)通電阻，2SK1958-VB 可用于 LED 燈驅(qū)動電路中的開關(guān)，提供穩(wěn)定的電流輸出。

4. **低功率開關(guān)電路**：在需要低功率開關(guān)控制的電路中，2SK1958-VB 的低導(dǎo)通電阻和適中的電流容量使其成為理想的選擇，如傳感器控制、小型電源和電池管理等領(lǐng)域。

這些示例展示了 2SK1958-VB 在低功率應(yīng)用中的靈活性和實用性，使其成為許多設(shè)計師的理想選擇。