### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1982-01MR-VB 是一種單 N 通道 MOSFET，封裝為 TO220F。該器件具有高電壓和高電流的特點(diǎn)，適用于各種高功率應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括650V的漏源電壓（VDS）、10A的漏極電流（ID）以及830mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)@VGS=10V）。這種MOSFET采用平面技術(shù)，具有良好的開(kāi)關(guān)性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**：2SK1982-01MR-VB
- **封裝**：TO220F
- **配置**：?jiǎn)?N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：10A
- **技術(shù)**：平面技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

2SK1982-01MR-VB 由于其高電壓和高電流特性，適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊。

1. **電源管理**：該MOSFET可用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的高效能轉(zhuǎn)換。其高電壓特性使其適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高效的電能管理解決方案。

2. **電機(jī)控制**：在工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用中，該器件可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊。高電流和低導(dǎo)通電阻使其適合用于步進(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。

3. **逆變器**：在太陽(yáng)能光伏逆變器和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中，2SK1982-01MR-VB 能夠處理高電壓和高功率，確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。

4. **照明系統(tǒng)**：該MOSFET可用于LED驅(qū)動(dòng)電路中，特別是在高功率LED照明系統(tǒng)中，提供穩(wěn)定的電流控制和高效的電能轉(zhuǎn)換。

通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例，可以看出2SK1982-01MR-VB 是一種多功能、高性能的MOSFET，適用于需要高電壓、高電流和高效能轉(zhuǎn)換的各種場(chǎng)合。