### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK2527-01MR-VB 是一款高壓、單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。其設(shè)計(jì)采用了Plannar技術(shù)，具有良好的開關(guān)性能和高壓承受能力，適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。該MOSFET具有950V的漏源電壓（VDS），能夠在較高的電壓下提供可靠的導(dǎo)通性能。其最大漏極電流（ID）為6A，柵源電壓（VGS）為30V（±），門限電壓（Vth）為3.5V。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 2SK2527-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 950V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **門限電壓（Vth）**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**: 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 6A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

2SK2527-01MR-VB MOSFET 適用于需要高壓、低功率的應(yīng)用場(chǎng)景，例如：

1. **電源逆變器**：在需要高壓逆變和穩(wěn)定性能的應(yīng)用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能，適用于太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)能逆變器等領(lǐng)域。

2. **電源管理系統(tǒng)**：在需要高壓開關(guān)和穩(wěn)定性能的應(yīng)用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能，適用于工業(yè)電源、UPS電源等領(lǐng)域。

3. **醫(yī)療設(shè)備**：在需要高壓開關(guān)和精準(zhǔn)控制的醫(yī)療設(shè)備中，該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能，適用于X射線機(jī)、醫(yī)療圖像設(shè)備等領(lǐng)域。

4. **工業(yè)控制**：在需要高壓開關(guān)和穩(wěn)定性能的工業(yè)控制系統(tǒng)中，該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能，適用于高壓電機(jī)控制、高壓設(shè)備控制等領(lǐng)域。

通過(guò)這些應(yīng)用示例，可以看出2SK2527-01MR-VB MOSFET 適用于需要高壓、低功率的多種電子和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。其高壓承受能力和可靠性使其成為高壓應(yīng)用中的理想選擇。