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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK2847-VB一種N-Channel溝道TO3P封裝MOS管

型號: 2SK2847-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK2847-VB 產(chǎn)品簡介

2SK2847-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO3P封裝。該MOSFET具有900V的漏源電壓(VDS)和30V的柵源電壓(VGS),能夠在高壓應(yīng)用中提供高效和可靠的性能。該產(chǎn)品采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。其最大漏極電流(ID)為9A,在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為750mΩ。這個器件適用于對高壓要求且需要中等電流的場合。

### 二、2SK2847-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO3P
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:900V
- **柵源電壓(VGS)**:30V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **其他參數(shù)**:
 - 柵極電荷(Qg):待定
 - 反向恢復(fù)時間(trr):待定
 - 電感負載開關(guān)時間(tsw):待定
 - 封裝尺寸:待定
 - 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK2847-VB MOSFET 由于其高壓和中等電流能力,適用于各種高壓應(yīng)用場景。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源模塊**:在需要高壓和中等電流的電源模塊中,2SK2847-VB 可以提供可靠的功率開關(guān)和電流控制,使電源模塊具有更好的效率和可靠性。

2. **工業(yè)控制**:在高壓工業(yè)控制系統(tǒng)中,如電機驅(qū)動、工業(yè)自動化等,2SK2847-VB 可以提供穩(wěn)定的電源控制和電流管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。

3. **電動車充電器**:在需要高壓快速充電的電動車充電器中,2SK2847-VB 的高壓和高效能開關(guān)特性使其能夠快速、可靠地進行電能傳輸,提高充電效率。

4. **醫(yī)療設(shè)備**:在一些高壓醫(yī)療設(shè)備中,如X射線發(fā)生器、醫(yī)用超聲儀等,2SK2847-VB 可以提供穩(wěn)定的電源控制和電流管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。

總的來說,2SK2847-VB 是一款適用于高壓中功率場合的N溝道MOSFET,具有高性能和穩(wěn)定性,可以滿足各種高功率電子設(shè)備的需求。

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