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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK2925-Z-E1-VB一款Single-N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK2925-Z-E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號**: 2SK2925-Z-E1-VB  
**封裝**: TO252  
**配置**: 單N溝道  
**技術(shù)**: 溝槽型(Trench)  

2SK2925-Z-E1-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用溝槽型技術(shù)設(shè)計(jì),具有優(yōu)良的導(dǎo)通特性和高可靠性,適用于各種電子設(shè)備和電路設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **VDS**(漏-源電壓): 60V
- **VGS**(柵-源電壓): ±20V
- **Vth**(柵極閾值電壓): 1.7V
- **RDS(ON)**(導(dǎo)通電阻):
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **ID**(漏極電流): 18A

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理**: 2SK2925-Z-E1-VB適用于各種電源管理應(yīng)用,如直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)、開關(guān)電源和逆變器。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力使其在高效率電源轉(zhuǎn)換中具有優(yōu)勢。

**電動車充電器**: 在電動汽車充電器中,該MOSFET可用于高壓直流-直流變換器。其高漏-源電壓和低導(dǎo)通電阻能夠提高充電器的效率和性能。

**工業(yè)控制**: 2SK2925-Z-E1-VB適用于工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動器和機(jī)器人控制器。其高可靠性和耐用性使其能夠在苛刻的工業(yè)環(huán)境中長時間穩(wěn)定工作。

**消費(fèi)電子**: 在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦、臺式電腦和移動設(shè)備中的電源管理電路,2SK2925-Z-E1-VB也可以發(fā)揮作用。其高效的電流處理和低功耗特性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

2SK2925-Z-E1-VB以其高性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為各類電子和電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵組件。

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