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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK2958STL-E-VB一款Single-N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK2958STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 Single-N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK2958STL-E-VB 產(chǎn)品簡介

2SK2958STL-E-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO263 封裝,適用于各種中低壓功率電子應用。該型號具有30V 的漏源電壓 (VDS) 和 98A 的連續(xù)漏極電流 (ID),在不同的柵源電壓下,具有不同的導通電阻 (RDS(ON)),表現(xiàn)出優(yōu)異的開關性能。采用了 Trench 技術,具有良好的導電特性和穩(wěn)定性,適用于要求高性能和可靠性的電子應用。

### 二、2SK2958STL-E-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值        | 單位    | 備注                                       |
|-------------------|-----------|-------|------------------------------------------|
| **封裝類型**         | TO263     |       |                                          |
| **配置**            | 單 N 溝道    |       |                                          |
| **漏源電壓 (VDS)**  | 30        | V     | 最大額定值                                |
| **柵源電壓 (VGS)**  | 20(±)   | V     | 最大額定值                                |
| **閾值電壓 (Vth)**  | 1.7       | V     | 典型值                                    |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 2.7       | mΩ    | VGS=4.5V 時                               |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 2.4       | mΩ    | VGS=10V 時                               |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)** | 98        | A     | 最大額定值                                |
| **技術**            | Trench    |       | 溝槽結構                                   |

### 三、應用領域及示例

2SK2958STL-E-VB MOSFET 適用于各種中低壓功率應用,具有廣泛的應用領域:

1. **電源管理**:在低壓電源管理中,該器件可用于穩(wěn)壓和功率控制。其低導通電阻和高漏極電流使其成為低壓電源管理的理想選擇。

2. **車載電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,2SK2958STL-E-VB 可以用于馬達控制和電池管理。其高電流和穩(wěn)定性有助于提高汽車電子系統(tǒng)的效率和性能。

3. **消費電子**:在消費電子產(chǎn)品中,該器件可用于手機充電和電池管理。其高效率和可靠性有助于提高消費電子產(chǎn)品的性能和使用壽命。

4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK2958STL-E-VB 可以用于傳感器信號處理和開關控制。其高速開關和穩(wěn)定性有助于提高工業(yè)設備的效率和可靠性。

綜上所述,2SK2958STL-E-VB MOSFET 在電源管理、車載電子、消費電子和工業(yè)控制等領域具有廣泛的應用前景,并且能夠提供高效能和可靠性的解決方案。

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