--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:2SK3131-VB**
**封裝:TO3P**
**配置:單N溝道**
**技術(shù):SJ多晶EPI**
2SK3131-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO3P封裝,適用于高壓高電流應(yīng)用。其600V的漏源電壓(VDS)和47A的漏極電流(ID)使其在需要高電壓和高電流輸出的電路中表現(xiàn)出色。60mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 60mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術(shù)類型**: SJ多晶EPI
- **封裝類型**: TO3P
- **配置**: 單N溝道

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
2SK3131-VB 的高性能特性使其適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **高壓電源**: 該MOSFET可用于高壓電源的開關(guān)和控制,如高壓開關(guān)電源(HVPS)和高壓穩(wěn)壓器。
2. **電動汽車充電樁**: 由于其高壓高電流的特性,該MOSFET可用于電動汽車充電樁中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和電流輸出。
3. **工業(yè)控制**: 在需要高電壓和高電流輸出的工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電源管理和驅(qū)動電路。
4. **醫(yī)療設(shè)備**: 在醫(yī)療設(shè)備中,2SK3131-VB 可以用于高壓電源和驅(qū)動電路,確保設(shè)備的高效運(yùn)行。
5. **激光器驅(qū)動**: 由于其高電壓高電流的特性,該MOSFET可用于激光器驅(qū)動電路,提供穩(wěn)定的電流輸出和高效的能源管理。
2SK3131-VB 的優(yōu)異電氣特性和可靠性設(shè)計使其成為高壓高電流應(yīng)用中的理想選擇,能夠滿足各種領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躆OSFET的要求。
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