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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK3162-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK3162-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N溝道

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK3162-VB 產(chǎn)品簡介

2SK3162-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于中高壓、高電流應用。該器件具有 200V 的漏源電壓 (VDS) 和 45A 的連續(xù)漏極電流 (ID),在不同的柵源電壓下具有較低的導通電阻 (RDS(ON))。采用了 Trench 技術(shù),具有高效能、低導通電阻和快速開關(guān)特性,適用于要求高功率密度和高效能量管理的電子應用。

### 二、2SK3162-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 數(shù)值         | 單位    | 備注                      |
|---------------------|------------|-------|-------------------------|
| **封裝類型**           | TO220F     |       |                          |
| **配置**              | 單 N 溝道     |       |                          |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 200        | V     | 最大額定值                  |
| **柵源電壓 (VGS)**    | 20(±)    | V     | 最大額定值                  |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 3          | V     | 典型值                    |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 38         | mΩ    | VGS=10V 時               |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**   | 45         | A     | 最大額定值                  |
| **技術(shù)**              | Trench     |       | 溝槽技術(shù),高效能和快速開關(guān)特性 |

### 三、應用領(lǐng)域及示例

2SK3162-VB MOSFET 適用于多種中高壓、高電流應用,包括但不限于以下領(lǐng)域:

1. **電動汽車**:在電動汽車的電力系統(tǒng)中,2SK3162-VB 可以用于電池管理和電動驅(qū)動控制。其高電流承載能力和高效率,有助于提高電動汽車的性能和續(xù)航里程。

2. **電源轉(zhuǎn)換器**:在高功率轉(zhuǎn)換器中,2SK3162-VB 可以用于實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。其低導通電阻和高頻開關(guān)能力,有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率和功率密度。

3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)領(lǐng)域的高功率電源中,該器件可用于實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。其低導通電阻和高電流能力,使其成為工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。

4. **電力調(diào)節(jié)器**:在電力調(diào)節(jié)器中,2SK3162-VB 可以用作主開關(guān)元件,其高導通電阻和快速響應性能,有助于實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力輸出。

綜上所述,2SK3162-VB MOSFET 具有高電流能力、低導通電阻和快速開關(guān)特性,適用于需要高功率密度和高效能量管理的中高壓電子應用。

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